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當前位(wei)置:
充電樁產(chan)業迎來黃金發展期(qi),產(chan)業鏈將迎來廣闊市場空間

充電樁產業迎來黃金發展期,產業鏈將迎來廣闊市場空間

2023-02-02 12:00

根據中汽協數據顯示,2022年全年國內新能源汽車呈現持續快速增長,產銷達到705.8 萬/688.7萬量,同比增長96.9%/93.4%,市場占有率達到25.6%。


中汽(qi)協預計2023年我國新能(neng)源汽(qi)車銷量將達(da) 900萬輛(liang),同比增長35% 。


充電樁是(shi)新(xin)能源車領域的(de)基礎設施。


發(fa)改W披露,截(jie)至2021年(nian)底(di),全國(guo)充(chong)電設施規模(mo)達(da)到 261.7萬臺,換電站(zhan)1298 座,服務近800萬輛新能源汽車,國(guo)家和地方已積極出臺一系列產業(ye)鼓勵政(zheng)策,將切(qie)實(shi)推動(dong)充(chong)電樁的(de)高效建設和合理布局。


據發改(gai)W《關于進一步提(ti)升電(dian)(dian)(dian)動(dong)汽(qi)車(che)(che)充(chong)電(dian)(dian)(dian)基礎(chu)設(she)施(shi)(shi)服務保障能(neng)力(li)的實施(shi)(shi)意見(jian)》,到“十四五”末,我國電(dian)(dian)(dian)動(dong)汽(qi)車(che)(che)充(chong)電(dian)(dian)(dian)保障能(neng)力(li)將(jiang)進一步提(ti)升,形成適度(du)超前、布局均衡、智能(neng)高(gao)效的充(chong)電(dian)(dian)(dian)基礎(chu)設(she)施(shi)(shi)體系,能(neng)夠滿足超過2000萬輛電(dian)(dian)(dian)動(dong)汽(qi)車(che)(che)充(chong)電(dian)(dian)(dian)需求。


新(xin)能源車銷量持續(xu)增長,充電(dian)樁面臨較大缺口以及(ji)充電(dian)速度的改善。


大功率快充未來已來

目前國(guo)內(nei)常見的普通快充設備充電時間仍需(xu)要 40min左右(you),而慢充則需(xu)要8h左右(you),新


能源車廠商紛紛布局充(chong)電更快的大功率充(chong)電方(fang)案。


2021年9月,比亞(ya)迪(di)發布e平臺(tai) 3.0,有 800V閃充(chong)(chong)功能,實現(xian)充(chong)(chong)電(dian)5分(fen)鐘續航150公里;


2021年11月,小(xiao)鵬汽車(che)(che)(che)在2021廣州車(che)(che)(che)展展示的G9車(che)(che)(che)型成為國(guo)內(nei)首款基于800V高壓 SiC 平臺(tai)的量(liang)產車(che)(che)(che),充(chong)電(dian)5分鐘最高可補充(chong)續(xu)航(hang) 200 公里;


理想汽(qi)車將(jiang)同步研(yan)發Whale以及Shark平臺(tai) 800V高(gao)壓架構車型,并配備(bei)400kW大功率(lv)充電(dian)樁(zhuang),計劃(hua)于2023年(nian)以后每年(nian)至少推出兩款高(gao)壓純電(dian)動汽(qi)車,實現充電(dian)10分(fen)鐘續(xu)航400公(gong)里。


高(gao)壓(ya)平臺快充(chong)方案對于充(chong)電樁所采(cai)用(yong)的功率(lv)器件(jian)的耐壓(ya)性、轉換(huan)效率(lv)、導通損耗等性能(neng)要求更高(gao)。


充電模塊

充電模塊是充電樁的核心部件,技術迭代進(jin)入快車(che)道(dao)。


充電(dian)(dian)包括直流充電(dian)(dian)和交流充電(dian)(dian)。


交流充電(dian)樁:本(ben)質是一個帶控制的(de)插座,主(zhu)要包含交流電(dian)表(biao)、控制主(zhu)板、顯示屏、急停(ting)旋(xuan)鈕(niu)、 交流接(jie)觸(chu)器(qi)、充電(dian)槍線等(deng)結(jie)構,結(jie)構較為簡單(dan),需要車載充電(dian)機自己進(jin)行變壓整(zheng)流,幾(ji)乎不 涉(she)及(ji)功率器(qi)件(jian)。



直(zhi)流(liu)充電(dian)樁(zhuang):其結構更為復雜,包括充電(dian)模塊、主(zhu)控制器(qi)、絕緣檢(jian)測模塊、通(tong)信模塊、主(zhu)繼 電(dian)器(qi)等部分,其中(zhong)充電(dian)模塊又稱功率模塊,是充電(dian)樁(zhuang)行業具有技術門檻的核心部件,約占據 充電(dian)樁(zhuang)總成本的 50%;


核心功(gong)能是將電(dian)網中的交流電(dian)轉化為可直接向電(dian)池充電(dian)的直流電(dian),組(zu) 成(cheng)部(bu)分(fen)包括半導(dao)體功(gong)率器件(jian)(jian)、集成(cheng)電(dian)路、磁性元件(jian)(jian)、PCB、電(dian)容、機箱(xiang)風(feng)扇等,半導(dao)體功(gong)率器 件(jian)(jian)成(cheng)本占(zhan)充電(dian)模塊總(zong)成(cheng)本的 30%,是充電(dian)模塊的關鍵組(zu)成(cheng)部(bu)分(fen)。



功率器件

充(chong)電(dian)(dian)模塊作為(wei)充(chong)電(dian)(dian)樁的(de)核(he)心(xin)部件,其核(he)心(xin)功(gong)能的(de)實現主要(yao)依托(tuo)于功(gong)率半導(dao)體器(qi)(qi)件發揮整流、 穩壓、開(kai)關、變(bian)頻等作用,隨著(zhu)用戶更加追求充(chong)電(dian)(dian)系統的(de)小型化、高(gao)效化,功(gong)率器(qi)(qi)件作為(wei)充(chong) 電(dian)(dian)樁的(de)核(he)心(xin)器(qi)(qi)件,也面(mian)臨著(zhu)不斷(duan)優(you)化和升級。


目前(qian)國內充電樁所(suo)采用的功率器件主(zhu)要是硅基MOSFET T(金(jin)屬氧化物半導(dao)體場效應管) 和(he) IGBT。


IGBT是由(you) BJT(雙極型(xing)三極管)和(he) MOS(絕緣(yuan)柵(zha)型(xing)場效應(ying)管)組(zu)成的復(fu)合全(quan)控型(xing)電壓(ya)驅(qu)動式(shi) 功率(lv)半導體器件,兼有(you)MOSFET的高輸入阻抗和(he)GTR的低導通壓(ya)降兩方面的優點,是電力電子領域較(jiao)為理(li)想(xiang)的開關器件。


不過又出現新的技(ji)術碳化(hua)(hua)硅(gui)器件(jian),相(xiang)比(bi)IGBT,碳化(hua)(hua)硅(gui)器件(jian)不需要進行(xing)電(dian)導率調制即能夠(gou)實現高耐壓(ya)、低阻抗(kang),開關速度(du)更(geng)快(kuai)。


據半導體投資聯(lian)盟,與傳統(tong)硅器件相比(bi),碳(tan)化硅模塊可(ke)以(yi)幫助充電樁提升近30%的(de)輸出(chu)功率、 減少50%左右的(de)損耗,并(bing)增強充電樁的(de)穩定(ding)性。


英飛凌、安森美、羅姆、三安光電(dian)(dian)、華潤微、泰(tai)科天潤等功率(lv)半導體龍頭廠商均(jun)已推(tui)出可用 于(yu)充電(dian)(dian)樁領域的(de)碳化硅芯片或器(qi)件。


現階(jie)段碳化(hua)硅模塊(kuai)在充電樁市場當中滲透(tou)率(lv)較低。


相比(bi)純碳(tan)(tan)化(hua)硅方案,目前硅基IGBT+碳(tan)(tan)化(hua)硅SBD混合方案應用更(geng)為廣泛(fan)。


未來隨著全球碳(tan)化硅襯底產能的(de)逐步(bu)(bu)釋放(fang)、工(gong)藝控制(zhi)改善下(xia)良率的(de)不斷(duan)提升(sheng)以及技術方(fang)案的(de)不斷(duan)成熟,碳(tan)化硅器件的(de)價格(ge)有望呈現(xian)下(xia)降趨勢,其(qi)充電樁市場的(de)應用(yong)有望得到進一步(bu)(bu)推廣(guang)。


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